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SAL-3000 ALD原子层沉积系统SAL3000是一款适用于研究型的ALD原子层沉积设备，该设备最多可搭载6路前驱体，适用于4英寸（φ100mm）以下基底材...

PE-CVD解决方案与典型CVD反应器相比，等离子体增强型化学气相沉积(PE-CVD)提供了一种可使用更低温度沉积各种薄膜的有效替代方案，同时不会降低薄膜质量。...

系统中的PECVD可以沉积高质量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、类金刚石薄膜、硬质薄膜、光学薄膜等。标准配置射频(RF)，可选用空阴密度等离子体(HCD)源、感应...

PICOSUN拥有30多年在芬兰ALD反应器制造而得到的专业技术。Tuomo Suntola博士，于1974年发明了ALD技术，是PICOSUN董事会的成员。我...

NLD-3500（A）全自动原子层沉积系统概述：原子层沉积是一项沉积薄膜的重要技术，具有广泛的应用。ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉...

1.ALD (传统的热原子层沉积)；2.PEALD (等离子增强原子层沉积)；3.Powder ALD (粉末样品的原子层沉积)；仪器简介：原子层沉积（Atom...

基质辅助脉冲激光蒸发(MAPLE)是PLD的一种变体。这是由NRL集团新引入的技术，以促进某些功能有机材料的薄膜沉积。基于UV (5-6 eV)的传统PLD技术...

激光分子束外延(Laser MBE)是上个世纪90年代发展起来的一种新型高精密制膜技术，它集PLD的制膜特点和传统MBE的超高真空精确控制原子尺度外延生长的原位...

NSC-3000（A）全自动磁控溅射系统概述：带有水冷或者加热(可加热到700度)功能，到6旋转平台，可支持到3个偏轴平面磁控管。

美国Four Dimensions,Inc, 简称“4D"，成立于1978年，位于美国加州硅谷的Hayward, 4D公司专注于四探针设备和CV仪的生产和销售，...

美国Creative Design Engineering, 简称“CDE"，成立于1995年，位于美国加州硅谷的库比蒂诺 - Cupertino, CDE公司...

技术参数：l 自动的换气与泄气功能，可以得到一致的膜厚，和的导电喷镀效果。l 通过高效低压直流磁控头进行冷态精细的喷镀过程，避免样品表面受损。

Leica EM ACE600是优良的多用途高真空薄膜沉积系统，设计来根据您的FE-SEM和TEM应用的需要生产非常薄的，细粒度的和导电的金属和碳涂层，用于高分...

电子束蒸发系统是化合物半导体器件制作中的一种重要工艺技术；它是在高真空状态下由电子束加热坩埚中的金属，使其熔融后蒸发到所需基片上形成金属膜。